MOCVD设备

产品介绍
设备采用公司自主可控的气体分配系统技术，支持片状加热或钨丝加热，基底表面工作温度可达1200℃以上。同时采用先进的反应腔与控制系统，在8英寸大尺寸基底上实现优异的膜厚与波长均匀性（±1%以内）。采用MO源与反应腔气体分离输送的技术，便于将来升级换代；关键组件均为自主设计、国内生产制造，维护保养成本低。设备可选在线红外测温系统与机械手自动取放系统，减少薄膜生长过程的人为因素干扰。该设备具有薄膜质量高、自动化程度高、升降温速率快等优点，科研院所及企业研发的理想产品。

应用领域：2D电子材料WS2，MoS2，蓝光LED、绿光LED、半导体激光器、半导体探测器等化合物半导体材料。

产品特点：

* 极高气体流程均匀性和重复性
* 基底表面工作温度可达1200℃以上
* 可实现高速、高质量WS2,MoS2,GaN,SiC等材料生长