江苏鹏举半导体全自主研发的原子层刻蚀设备（ALE），具有成熟的真空解决方案及射频系统，基于Windows平台自主开发的操作系统，架构合理，人机交互界面多种自动流程设计，操作简单便捷。设备具有占用空间小，耗材及运营成本低等优点。此腔体扩展性高，兼容性高，可用于多种材质，多种介质刻蚀，可媲美国际先进水平，实现国产替代。
一、设备参数
|
参数类别 |
具体参数 |
指标范围 |
|
刻蚀精度 |
单循环刻蚀速率 |
0.1–0.7 nm/cycle（通用）；Al?O?: 0.2–0.5 nm/cycle；GaN: 0.1–0.3 nm/cycle |
|
等效刻蚀速率 |
>1 nm/min（通用）；Al?O?: >1.2 nm/min；GaN: 0.8–1.0 nm/min |
|
|
表面粗糙度 |
<0.5 nm |
|
|
均匀性 |
晶圆内均匀性（300mm） |
±2%；；Al?O?/SiO?刻蚀±1.8% |
|
片间均匀性 |
±1.5%；GaN刻蚀±1.2% |
|
|
选择比 |
Al?O?/Si |
>60:1 |
|
GaN/AlGaN |
>30:1（精准停刻控制） |
二、工艺控制参数
|
控制模块 |
关键参数 |
可调范围 |
控制精度 |
|
反应腔环境 |
腔室压力 |
1–50 mTorr（P-ALE）；PEALD刻GaN专用：0.5–5 mTorr |
±0.1 Torr |
|
腔室温度 |
25–200°C； |
±1°C |
|
|
前驱体与脉冲 |
前驱体流量 |
100–500 sccm； |
±5 sccm |
|
脉冲时间 |
0.1–5 s； |
±10 ms |
|
|
吹扫时间 |
1–10 s； |
±50 ms |
|
|
等离子体 |
源功率 |
1–3000 W； |
±10 W |
|
离子能量 |
50–500 eV； |
±2 eV |
|
|
循环控制 |
循环数 |
1–1000 cycles； |
1 cycle步进 |
三、设备核心配置
反应腔：300mm兼容，Al?O?/Y?O?耐腐蚀内衬，多区温控
前驱体系统：多路脉冲阀，漏率<1×10?? atm·cc/s；支持Cl?、BCl?、CHF?等PEALD专用刻蚀气体精准配送
等离子体源：ICP/RIE类型，离子能量0–1000 eV可调；具有PEALD专属低功率调节档位（100–500 W）适配GaN刻蚀
真空系统：分子泵+干泵，极限真空<1×10?? Torr；
微信公众号
江苏鹏举半导体设备技术有限公司 苏ICP备2021019173号-1