TALD原子层沉积设备

PJ-TALD-200

设备规格

工艺温度：温度范围：RT~500°C （可定制）
前驱体路数：最大支持6路前驱体气路（可定制)，包含固、液态前驱体源瓶

加热系统：可加热温度范围：RT~500℃

反应物路数：支持2路反应物气路（可定制）
载气：标准：N2, MFC 流量控制（可定制）
压力监测：双薄膜规组合（耐腐蚀)，0.005Torr - 1000Torr
本底真空度：<5x10-3 Torr

标准漏率：<5x10-9Pa*m3/s 
真空系统：标准油泵

控制系统：19寸显示器，支持触控工业级嵌入式工控机，高可靠性，支持扩展
高温加热模块：独立的源瓶加热模块，可支持RT~200℃

控制系统

? 控制系统采用 PLC+工控机+19 寸触摸屏方式实现，系统通过高速以太网进行通讯。

? 采用 PLC 对设备进行实时控制，支持历史数据、工艺配方、报警及日志的储存和导入导出的功能

? 设备支持“一键沉积”功能，点击运行按键即可自动完成真空抽取、升温、材料沉积、降温等一系列步骤。实现单一或多层材料的沉积；提供独立的手动操作页面，支持手动开关阀门的操作，人机交互同时支持鼠标、键盘和触摸的输入方式

? 设备运行软件提供用户权限管理功能，可根据用户级别设定使用权限，防止误操作，保证设备和人身安全

? 设备运行软件提供逻辑互锁功能，防止用户误操作，并弹出信息对话框进行提示

? 设备运行软件集成安全及参数配置、IO互锁列表信息功能

工艺应用
防水汽保护层，光学镀膜，功能型膜层（亲水层，疏水层）

薄膜种类：AL2O3、SNO2、SIO2、HFO2、 ALN、TIN

晶圆尺寸：12寸以兼容